P0950ETFS Todos los transistores

 

P0950ETFS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0950ETFS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.88 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FS
 

 Búsqueda de reemplazo de P0950ETFS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P0950ETFS PDF Specs

 6.1. Size:539K  unikc
 p0950etf-s.pdf pdf_icon

P0950ETFS

P0950ETF / P0950ETFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.88 @VGS = 10V 500V 9A TO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 5.7 A IDM... See More ⇒

Otros transistores... P0920AD , P0920AT , P0920ATF , P0920BD , P0925AD , P0925BTF , P092ABD , P0950ETF , AON7506 , P0990AU , P1003BDF , P1003BK , P1003EK , P1003EVG , P1004BD , P1004BS , P1004HV .

History: FDN5630

 

 
Back to Top

 


 
.