P1004BD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1004BD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO252

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P1004BD datasheet

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P1004BD

P1004BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 10m @VGS = 10V 40V 55A TO-252 100% Rg tested 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 55 ID Continuous Drain Current TC = 70 C 44 A

 8.1. Size:443K  unikc
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P1004BD

P1004BS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 11m @VGS = 10V 40V 53A TO-263 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 53 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 34 A IDM 159 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 40

 9.1. Size:133K  ape
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P1004BD

AP1004CMX Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Ultra-low Forward Diode D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 1.8m Low Profile (

 9.2. Size:355K  unikc
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P1004BD

P1004HV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 13m @VGS = 10V 10A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 24 TA = 25 C 10 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 8 A IDM 40 Pulsed Drain Current1 I

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