P1004BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P1004BD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для P1004BD
P1004BD Datasheet (PDF)
p1004bd.pdf

P1004BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID10m @VGS = 10V40V 55ATO-252100% Rg tested100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C55IDContinuous Drain CurrentTC = 70 C44A
p1004bs.pdf

P1004BS N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID11m @VGS = 10V40V 53A TO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C53IDContinuous Drain Current2TC = 100 C34AIDM159Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 40
ap1004cmx.pdf

AP1004CMXHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Ultra-low Forward Diode D BVDSS 30V Low Conductance Loss RDS(ON) 1.8m Low Profile (
p1004hv.pdf

P1004HVN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID40V 13m @VGS = 10V 10ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 24TA = 25 C10IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C8AIDM40Pulsed Drain Current1I
Другие MOSFET... P092ABD , P0950ETF , P0950ETFS , P0990AU , P1003BDF , P1003BK , P1003EK , P1003EVG , 10N65 , P1004BS , P1004HV , P1006BD , P1006BIS , P1006BK , P1006BT , P1006BTF , P1006BTFS .
History: AM3457P | IPB80N04S4-04 | 30N20 | 2SK3203S | STP10NM60ND | SM4025PSU | AP2328GN
History: AM3457P | IPB80N04S4-04 | 30N20 | 2SK3203S | STP10NM60ND | SM4025PSU | AP2328GN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775