P1260AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P1260AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 223 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 46.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 281 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P1260AT

P1260AT Datasheet (PDF)

..1. Size:474K unikc
p1260at.pdf

P1260ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID600V 0.65 @VGS = 10V 12ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C12IDContinuous Drain Current2TC = 100 C8.5AIDM48Pulsed Drain Curre

0.1. Size:470K unikc
p1260atf.pdf

P1260ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID600V 0.65 @VGS = 10V 12ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C12IDContinuous Drain Current2TC = 100 C8.5AIDM48Pulsed Drain Cur

9.1. Size:996K kexin
dmp1260.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETDMP1260 (KMP1260)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-20V ID =-3.3 A1 2 RDS(ON) 75m (VGS =-4.5V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 140m (VGS =-2.5V)+0.11.9 -0.11. GateDrain2. Source3. DrainGateSource Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol R

9.2. Size:409K ncepower
ncep1260f.pdf

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCEP1260FNCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP1260F uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: