P1350AT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1350AT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 204 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: TO220

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P1350AT datasheet

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P1350AT

P1350AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 500V 0.52 @VGS = 10V 13A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 13 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 10 A IDM 45 Pulsed Drain Curren

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P1350AT

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P1350AT

P1350ETF N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY 1. GATE V(BR)DSS RDS(ON) ID 2. DRAIN G 3. SOURCE 500V 0.52 13A S 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 500 V Gate-Source Volta

Otros transistores... P1203EVG, P1210BK, P1212AT, P1260AT, P1260ATF, P1308AK, P1308ATFG, P1308ATG, AON6426, P1350ATF, P1350ATFS, P1402CDG, P1403CV, P1403EK, P1403EV8, P1503BVG, P1503HK