P1503HV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P1503HV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de compuerta (Qg): 16.5 nC
Tiempo de elevación (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P1503HV
P1503HV Datasheet (PDF)
..1. p1503hv.pdf 
Size:366K _unikc
P1503HVDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID15m @VGS = 10V30V 9ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C7AIDM40Pulsed Drain Current1
8.1. p1503hk.pdf Size:485K _unikc
P1503HKDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID15m @VGS = 10V30V 24APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C24IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C15IDM72Pulsed Drain Curr
9.1. p1503bvg.pdf Size:392K _unikc
P1503BVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 15m @VGS = 10V 10ASOP- 08100% Rg tested100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C10IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C8A
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF2807 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
