P1503HV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P1503HV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 16.5 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 230 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm
Тип корпуса: SOP8
P1503HV Datasheet (PDF)
..1. p1503hv.pdf 
Size:366K _unikc
P1503HVDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID15m @VGS = 10V30V 9ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C7AIDM40Pulsed Drain Current1
8.1. p1503hk.pdf Size:485K _unikc
P1503HKDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID15m @VGS = 10V30V 24APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C24IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C15IDM72Pulsed Drain Curr
9.1. p1503bvg.pdf Size:392K _unikc
P1503BVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 15m @VGS = 10V 10ASOP- 08100% Rg tested100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C10IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C8A
Другие MOSFET... P1350ATF , P1350ATFS , P1402CDG , P1403CV , P1403EK , P1403EV8 , P1503BVG , P1503HK , IRF540 , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , P1603BD .
