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P1504EIS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P1504EIS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 273 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251S

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET P1504EIS

 

Principales características: P1504EIS

 ..1. Size:468K  unikc
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P1504EIS

P1504EIS P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = -10V -40V -38A 100% Rg tested 100% UIS tested TO-251(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -38 ID Continuous Drain Current TC = 100

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P1504EIS

P1504EDG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = -10V -45A -40V 100% Rg tested 100% UIS tested TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -40 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA= 25 C -45 ID Continuous Drain Current TA= 70 C

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P1504EIS

P1504HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 23m @VGS = 10V 40V 7A 100% UIS tested SOP-8 100% Rg tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C 7 ID Continuous Drain Current TA= 100 C 4 A

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P1504EIS

P1504BVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15m @VGS = 10V 40V 9A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 7.5 A IDM 35 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 32 EAS

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