P1604ETF Todos los transistores

 

P1604ETF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1604ETF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 40 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 45 nC

Tiempo de elevación (tr): 43 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 438 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.016 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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P1604ETF Datasheet (PDF)

..1. p1604etf.pdf Size:379K _unikc

P1604ETF
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P1604ETFP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 16m @VGS = -10V -40ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-40IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-25AIDM-120Pulsed Drai

7.1. p1604et.pdf Size:487K _unikc

P1604ETF
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P1604ETP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = -10V -40V -65ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-65IDContinuous Drain Current2TC = 100 C-42AIDM-120Pulsed Drain

8.1. p1604ed.pdf Size:592K _unikc

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P1604EDP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-40V 16m @VGS = -10V -43ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-43IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-34AIDM-130Pulsed Drain Cu

 

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