P1604ETF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P1604ETF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 42 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 45 nC
   Tiempo de subida (tr): 43 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 438 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P1604ETF

P1604ETF Datasheet (PDF)

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P1604ETFP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 16m @VGS = -10V -40ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-40IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-25AIDM-120Pulsed Drai

7.1. Size:487K unikc
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P1604ETP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = -10V -40V -65ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-65IDContinuous Drain Current2TC = 100 C-42AIDM-120Pulsed Drain

8.1. Size:592K unikc
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P1604EDP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-40V 16m @VGS = -10V -43ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-43IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C-34AIDM-130Pulsed Drain Cu

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Liste

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