P1610AD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P1610AD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de P1610AD MOSFET
P1610AD Datasheet (PDF)
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P1610ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = 10V110V 45ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 110VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C45IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C28AIDM80Pulsed Drain Current1
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P1610AD N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 110V 16m 45A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 110 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25
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P1610ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = 10V110V 51ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C51IDContinuous Drain Current2TC = 100 C32AIDM150Pulsed Drain Current1,2IASAvalanche Current 12
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N-Channel Logic Level Enhancement P1610AT NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 16m 110V 51A G 2.DRAIN 3.SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 51 Continuous Drai
Otros transistores... P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF , P1606BD , 2SK3878 , P1610AT , P1703BDG , P2610ADG , P2610AI , P2610ATFG , P2610ATG , P2610BD , P2610BS .
History: SUP90N08-6M8P | UPA2351BT1P | TPCA8036-H | 2SK2539 | KI2321DS | IPD220N06L3G | IPD50N04S4-08
History: SUP90N08-6M8P | UPA2351BT1P | TPCA8036-H | 2SK2539 | KI2321DS | IPD220N06L3G | IPD50N04S4-08



Liste
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MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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