Справочник MOSFET. P1610AD

 

P1610AD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P1610AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для P1610AD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P1610AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  unikc
 p1610ad.pdf pdf_icon

P1610AD

P1610ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = 10V110V 45ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 110VVGSGate-Source Voltage 20TC= 25 C45IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C28AIDM80Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:304K  niko-sem
 p1610ad.pdf pdf_icon

P1610AD

P1610AD N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 110V 16m 45A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 110 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

 8.1. Size:733K  unikc
 p1610at.pdf pdf_icon

P1610AD

P1610ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID16m @VGS = 10V110V 51ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C51IDContinuous Drain Current2TC = 100 C32AIDM150Pulsed Drain Current1,2IASAvalanche Current 12

 8.2. Size:142K  niko-sem
 p1610at.pdf pdf_icon

P1610AD

N-Channel Logic Level Enhancement P1610AT NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 16m 110V 51A G 2.DRAIN 3.SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 51 Continuous Drai

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF , P1606BD , 2SK3878 , P1610AT , P1703BDG , P2610ADG , P2610AI , P2610ATFG , P2610ATG , P2610BD , P2610BS .

History: PSMN5R0-100PS | IRF540ZSPBF | CMRDM3590

 

 
Back to Top

 


 
.