P1610AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1610AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 110 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de P1610AT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

P1610AT datasheet

 ..1. Size:733K  unikc
 p1610at.pdf pdf_icon

P1610AT

P1610AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 16m @VGS = 10V 110V 51A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 51 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 32 A IDM 150 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche Current 12

 ..2. Size:142K  niko-sem
 p1610at.pdf pdf_icon

P1610AT

N-Channel Logic Level Enhancement P1610AT NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 16m 110V 51A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 51 Continuous Drai

 0.1. Size:165K  niko-sem
 p1610atf.pdf pdf_icon

P1610AT

P1610ATF N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 16m 110V 34A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 34 Continuous Drain Current2 ID

 8.1. Size:508K  unikc
 p1610ad.pdf pdf_icon

P1610AT

P1610AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 16m @VGS = 10V 110V 45A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 110 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 45 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 28 A IDM 80 Pulsed Drain Current1

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... P1603BEBB, P1603BV, P1603BVA, P1604ED, P1604ET, P1604ETF, P1606BD, P1610AD, 7N65, P1703BDG, P2610ADG, P2610AI, P2610ATFG, P2610ATG, P2610BD, P2610BS, P2610BT