P1610AT - аналоги и даташиты транзистора

 

P1610AT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P1610AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для P1610AT

 

P1610AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  unikc
p1610at.pdfpdf_icon

P1610AT

P1610AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 16m @VGS = 10V 110V 51A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 51 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 32 A IDM 150 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche Current 12

 ..2. Size:142K  niko-sem
p1610at.pdfpdf_icon

P1610AT

N-Channel Logic Level Enhancement P1610AT NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 16m 110V 51A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 51 Continuous Drai

 0.1. Size:165K  niko-sem
p1610atf.pdfpdf_icon

P1610AT

P1610ATF N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 16m 110V 34A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 34 Continuous Drain Current2 ID

 8.1. Size:508K  unikc
p1610ad.pdfpdf_icon

P1610AT

P1610AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 16m @VGS = 10V 110V 45A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 110 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 45 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 28 A IDM 80 Pulsed Drain Current1

Другие MOSFET... P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF , P1606BD , P1610AD , 7N65 , P1703BDG , P2610ADG , P2610AI , P2610ATFG , P2610ATG , P2610BD , P2610BS , P2610BT .

 

 
Back to Top

 


 
.