P261ALV Todos los transistores

 

P261ALV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P261ALV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 686 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P261ALV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  unikc
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P261ALV

P261ALVDual P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID19m @VGS = -4.5V-12V -8.5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -12 VVGSGate-Source Voltage 8 VTA= 25 C-8.5IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C-6.8AIDM-34Pulsed Dra

 9.1. Size:481K  unikc
 p261afea.pdf pdf_icon

P261ALV

P261AFEAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -4.5V -12V -32APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -12VVGSGate-Source Voltage 8 TC = 25 C-32 TC = 100 C-20IDContinuous Drain Current2 TA = 25

Otros transistores... P2610ATFG , P2610ATG , P2610BD , P2610BS , P2610BT , P2615ATFG , P2615ATG , P261AFEA , SPP20N60C3 , P1810ATX , P1820AD , P1820BD , P1825AD , P1825AT , P2003BDG , P3504BD , P3506DD .

 

 
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