P261ALV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P261ALV
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 686 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de P261ALV MOSFET
P261ALV Datasheet (PDF)
p261alv.pdf
P261ALVDual P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID19m @VGS = -4.5V-12V -8.5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -12 VVGSGate-Source Voltage 8 VTA= 25 C-8.5IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C-6.8AIDM-34Pulsed Dra
p261afea.pdf
P261AFEAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -4.5V -12V -32APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -12VVGSGate-Source Voltage 8 TC = 25 C-32 TC = 100 C-20IDContinuous Drain Current2 TA = 25
Otros transistores... P2610ATFG , P2610ATG , P2610BD , P2610BS , P2610BT , P2615ATFG , P2615ATG , P261AFEA , 12N60 , P1810ATX , P1820AD , P1820BD , P1825AD , P1825AT , P2003BDG , P3504BD , P3506DD .
History: AO4404B
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