Справочник MOSFET. P261ALV

 

P261ALV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P261ALV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 686 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для P261ALV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P261ALV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:458K  unikc
 p261alv.pdf pdf_icon

P261ALV

P261ALVDual P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID19m @VGS = -4.5V-12V -8.5ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -12 VVGSGate-Source Voltage 8 VTA= 25 C-8.5IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C-6.8AIDM-34Pulsed Dra

 9.1. Size:481K  unikc
 p261afea.pdf pdf_icon

P261ALV

P261AFEAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -4.5V -12V -32APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -12VVGSGate-Source Voltage 8 TC = 25 C-32 TC = 100 C-20IDContinuous Drain Current2 TA = 25

Другие MOSFET... P2610ATFG , P2610ATG , P2610BD , P2610BS , P2610BT , P2615ATFG , P2615ATG , P261AFEA , SPP20N60C3 , P1810ATX , P1820AD , P1820BD , P1825AD , P1825AT , P2003BDG , P3504BD , P3506DD .

History: IPB60R160C6 | 5N65G-TN3-R | AOI600A60 | SSM5N16FE | NCE60N1K0R | FDMA86108LZ

 

 
Back to Top

 


 
.