P1825AD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1825AD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 162 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO252

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P1825AD datasheet

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P1825AD

P1825AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 250V 200m @VGS = 10V 18A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 18 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 8 A IDM 72 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 23 EAS

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P1825AD

P1825AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 250V 0.2 @VGS = 10V 18A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 18 ID Continuous Drain Current1 TC = 100 C 8.5 A IDM 72 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current 15 E

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P1825AD

P1825HDB N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 250V 230m 18A G 1 GATE 2 DRAIN 3 SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 250 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC

Otros transistores... P2610BT, P2615ATFG, P2615ATG, P261AFEA, P261ALV, P1810ATX, P1820AD, P1820BD, SKD502T, P1825AT, P2003BDG, P3504BD, P3506DD, P3506DT, P3506DTF, P3606BD, P3606HK