P1825AD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P1825AD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 57 nC
Время нарастания (tr): 200 ns
Выходная емкость (Cd): 162 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO252
P1825AD Datasheet (PDF)
p1825ad.pdf
P1825ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID250V 200m @VGS = 10V 18ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C18IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C8AIDM72Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 23EAS
p1825at.pdf
P1825ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID250V 0.2 @VGS = 10V 18ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C18IDContinuous Drain Current1TC = 100 C8.5AIDM72Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 15E
p1825hdb.pdf
P1825HDB N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 250V 230m 18A G1: GATE 2: DRAIN 3: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 250 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
