P5002CDG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P5002CDG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 49.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P5002CDG

P5002CDG Datasheet (PDF)

..1. Size:522K unikc
p5002cdg.pdf

P5002CDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = 10V20V 20ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 16 VTC= 25 C20IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C13AIDM60Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 6.8EAS

8.1. Size:373K unikc
p5002cmg.pdf

P5002CMGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = 4.5V20V 4ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC3.2IDM20Pulsed Drain Current1

9.1. Size:103K motorola
tp5002sr.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby TP5002S/DThe RF LineUHF Linear Power TransistorTP5002SThe TP5002S is an NPN gold metallized transistor using diffused ballastresistors for reliability and ruggedness. The TP5002S was specifically designedas a low power driver with high gain and can be operated in Class A, B or C. 380512 MHz 1.5 W Pout

9.2. Size:211K hgsemi
tp5002.pdf

HG RF POWER TRANSISTORTP5002SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNote : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.Sep. 1998www.HGSemi.com

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: