Справочник MOSFET. P5002CDG

 

P5002CDG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: P5002CDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 49.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для P5002CDG

 

 

P5002CDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:522K  unikc
 p5002cdg.pdf

P5002CDG P5002CDG

P5002CDGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = 10V20V 20ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 16 VTC= 25 C20IDContinuous Drain CurrentTC= 100 C13AIDM60Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 6.8EAS

 8.1. Size:373K  unikc
 p5002cmg.pdf

P5002CDG P5002CDG

P5002CMGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID50m @VGS = 4.5V20V 4ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C4IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC3.2IDM20Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:103K  motorola
 tp5002sr.pdf

P5002CDG P5002CDG

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby TP5002S/DThe RF LineUHF Linear Power TransistorTP5002SThe TP5002S is an NPN gold metallized transistor using diffused ballastresistors for reliability and ruggedness. The TP5002S was specifically designedas a low power driver with high gain and can be operated in Class A, B or C. 380512 MHz 1.5 W Pout

 9.2. Size:211K  hgsemi
 tp5002.pdf

P5002CDG

HG RF POWER TRANSISTORTP5002SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNote : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.Sep. 1998www.HGSemi.com

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: P2610ATFG

 

 
Back to Top