P5002CDG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: P5002CDG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для P5002CDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P5002CDG даташит

 ..1. Size:522K  unikc
 p5002cdg.pdf pdf_icon

P5002CDG

P5002CDG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 50m @VGS = 10V 20V 20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 16 V TC= 25 C 20 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 13 A IDM 60 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 6.8 EAS

 8.1. Size:373K  unikc
 p5002cmg.pdf pdf_icon

P5002CDG

P5002CMG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 50m @VGS = 4.5V 20V 4A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C 4 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 3.2 IDM 20 Pulsed Drain Current1

 9.1. Size:103K  motorola
 tp5002sr.pdf pdf_icon

P5002CDG

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by TP5002S/D The RF Line UHF Linear Power Transistor TP5002S The TP5002S is an NPN gold metallized transistor using diffused ballast resistors for reliability and ruggedness. The TP5002S was specifically designed as a low power driver with high gain and can be operated in Class A, B or C. 380 512 MHz 1.5 W Pout

 9.2. Size:211K  hgsemi
 tp5002.pdf pdf_icon

P5002CDG

HG RF POWER TRANSISTOR TP5002 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Note Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change. Sep. 1998 www.HGSemi.com

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P3506DTF, P3606BD, P3606HK, P4404EDG, P4404EI, P4404ETG, P4404QV, P4404QVT, IRFP450, P5002CMG, P5003QVG, P5003QVT, P5010AD, P5010AS, P5010AT, P2003BE, P2003BEA