P2103HVG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P2103HVG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 218 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: SOP8

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P2103HVG datasheet

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P2103HVG

P2103HVG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 21m @VGS = 10V 8A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 8 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 6 A IDM 40 Pulsed Drain Current1 IA

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P2103HVG

Green Product SP2103 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.3 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 220 @ VGS=10V Suface Mount Package. 100V 2.2A 350 @ VGS=4.5V D1 D1 D2 D2 PIN1 PDFN 5x6 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless

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P2103HVG

P2103NVG N- & P- Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N- 21m @VGS = 10V 30 8A Channel P- 34m @VGS = 10V -6A -30 Channel SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) N- P- PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL UNITS Channel Channe VDS Drain-Source Voltage 30 -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 20 V TA = 25 C 8 -6

Otros transistores... P2003EVG, P2003EVT, P2003HV, P2003KV, P2003NV, P2004EV, P2060ZTF, P2060ZTFS, IRFZ48N, P2103NVG, P2202CM, P2202CM6, P2202CV, P2204ND5G, P2206BD, P2402OV, P2502IZG