P2103HVG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P2103HVG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 218 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
P2103HVG Datasheet (PDF)
p2103hvg.pdf

P2103HVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 21m @VGS = 10V 8ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C6AIDM40Pulsed Drain Current1IA
sp2103.pdf

GreenProductSP2103aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.220 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 2.2A350 @ VGS=4.5VD1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless
p2103nvg.pdf

P2103NVGN- & P- Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) IDN-21m @VGS = 10V30 8AChannelP-34m @VGS = 10V -6A-30ChannelSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)N- P-PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL UNITSChannel ChanneVDSDrain-Source Voltage 30 -30 VVGSGate-Source Voltage 20 20 VTA = 25 C8 -6
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IPP054NE8NG | CHM3413SGP | 4N60L-T2Q-T | MEE7816S | TPW65R080C | HYG055N08NS1P | MS65R120C
History: IPP054NE8NG | CHM3413SGP | 4N60L-T2Q-T | MEE7816S | TPW65R080C | HYG055N08NS1P | MS65R120C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613