P2103NVG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P2103NVG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 218 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P2103NVG
P2103NVG Datasheet (PDF)
p2103nvg.pdf
P2103NVGN- & P- Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) IDN-21m @VGS = 10V30 8AChannelP-34m @VGS = 10V -6A-30ChannelSOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)N- P-PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL UNITSChannel ChanneVDSDrain-Source Voltage 30 -30 VVGSGate-Source Voltage 20 20 VTA = 25 C8 -6
sp2103.pdf
GreenProductSP2103aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.220 @ VGS=10VSuface Mount Package.100V 2.2A350 @ VGS=4.5VD1 D1 D2 D2PIN1PDFN 5x6S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless
p2103hvg.pdf
P2103HVGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID30V 21m @VGS = 10V 8ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C6AIDM40Pulsed Drain Current1IA
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Liste
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