P8010BV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P8010BV  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SOP8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de P8010BV MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

P8010BV datasheet

 ..1. Size:422K  unikc
 p8010bv.pdf pdf_icon

P8010BV

P8010BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 85m @VGS = 10V 100V 3.5A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 3.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 2.8 A IDM 20 Pulsed Drain Curre

 8.1. Size:458K  unikc
 p8010bd.pdf pdf_icon

P8010BV

P8010BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 85m @VGS = 10V 100V 15A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 15 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 9 A IDM 35 Pulsed Drain Current

 8.2. Size:411K  unikc
 p8010bis.pdf pdf_icon

P8010BV

P8010BIS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 85m @VGS = 10V 100V 15A 1.GATE 2.DRAIN 3.SOURCE TO-251(IS) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 15 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 9 A

 8.3. Size:305K  niko-sem
 p8010bd.pdf pdf_icon

P8010BV

N-Channel Enhancement Mode P8010BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 100V 85m 15A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... P8008BD, P8008BDA, P8008BV, P8008BVA, P8008HV, P8008HVA, P8010BD, P8010BIS, IRFZ44N, P8315AD, P8315ATF, P8315BD, P8503BMA, P8503BMG, P3003EDG, P3004BD, P3004ND5G