P8315BD Todos los transistores

 

P8315BD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P8315BD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.083 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET P8315BD

 

P8315BD Datasheet (PDF)

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P8315BD

P8315BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 83m @VGS = 10V 150V 20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC = 25 C 20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 12 A IDM 50 Pulsed Drain Curren

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P8315BD

P8315AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 83m @VGS = 10V 150V 20A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC = 25 C 20 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 12 A IDM 50 Pulsed Drain Curren

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P8315BD

P8315ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 83m @VGS = 10V 150V 13.5A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 30 Tc = 25 C 13.5 ID Continuous Drain Current Tc = 100 C 8.5 A IDM 50 Pulsed Drain

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