P8503BMA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P8503BMA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P8503BMA

P8503BMA Datasheet (PDF)

..1. Size:478K unikc
p8503bma.pdf

P8503BMAN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V30V 2.4ASOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C2.4IDContinuous Drain CurrentTA = 100 C1.5AIDM10Pulsed Drain Current1IASAvala

7.1. Size:531K unikc
p8503bmg.pdf

P8503BMGN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V30V 2.4ASOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C2.4IDContinuous Drain CurrentTA = 100 C1.5AIDM10Pulsed Drain Current1IASAvalanch

7.2. Size:268K niko-sem
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode P8503BMGNIKO-SEM Field Effect Transistor SOT-23Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY 1. GATE V(BR)DSS RDS(ON) ID 2. DRAIN G30V 85m 2.4A 3. SOURCESABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSGate-Source Voltage VGS 20 VTA = 25 C 2.4 Continuous Drai

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Liste

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