P8503BMG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P8503BMG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SOT23

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P8503BMG datasheet

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P8503BMG

P8503BMG N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 85m @VGS = 10V 30V 2.4A SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 2.4 ID Continuous Drain Current TA = 100 C 1.5 A IDM 10 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanch

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P8503BMG

N-Channel Logic Level Enhancement Mode P8503BMG NIKO-SEM Field Effect Transistor SOT-23 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY 1. GATE V(BR)DSS RDS(ON) ID 2. DRAIN G 30V 85m 2.4A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C 2.4 Continuous Drai

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P8503BMG

P8503BMA N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 85m @VGS = 10V 30V 2.4A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 2.4 ID Continuous Drain Current TA = 100 C 1.5 A IDM 10 Pulsed Drain Current1 IAS Avala

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