PZ0703EV Todos los transistores

 

PZ0703EV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PZ0703EV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 885 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

PZ0703EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  unikc
 pz0703ev.pdf pdf_icon

PZ0703EV

PZ0703EVP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID7m @VGS = -10V -30V -15ASOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-15IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-11AIDM-69Pulsed Drain C

 7.1. Size:510K  1
 pz0703ek.pdf pdf_icon

PZ0703EV

PZ0703EKP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID37m @VGS = -10V-30V -70APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-70IDContinuous Drain Current3TC = 100 C-56IDM-150

 7.2. Size:551K  unikc
 pz0703ed.pdf pdf_icon

PZ0703EV

PZ0703EDP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID7.5m @VGS = -10V-70A-30VTO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C-70IDContinuous Drain Current2,3TC= 100 C-44AIDM-160Pulsed Dr

 7.3. Size:525K  unikc
 pz0703ek.pdf pdf_icon

PZ0703EV

PZ0703EKP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON)ID37m @VGS = -10V-30V -70APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C-70IDContinuous Drain Current3TC = 100 C-56IDM-150

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IMW65R027M1H | CSD16410Q5A

 

 
Back to Top

 


 
.