PZ0703EV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZ0703EV  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 885 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PZ0703EV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ0703EV даташит

 ..1. Size:399K  unikc
 pz0703ev.pdf pdf_icon

PZ0703EV

PZ0703EV P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7m @VGS = -10V -30V -15A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -15 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -11 A IDM -69 Pulsed Drain C

 7.1. Size:510K  1
 pz0703ek.pdf pdf_icon

PZ0703EV

PZ0703EK P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 7m @VGS = -10V -30V -70A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -70 ID Continuous Drain Current3 TC = 100 C -56 IDM -150

 7.2. Size:551K  unikc
 pz0703ed.pdf pdf_icon

PZ0703EV

PZ0703ED P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7.5m @VGS = -10V -70A -30V TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC= 25 C -70 ID Continuous Drain Current2,3 TC= 100 C -44 A IDM -160 Pulsed Dr

 7.3. Size:525K  unikc
 pz0703ek.pdf pdf_icon

PZ0703EV

PZ0703EK P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 7m @VGS = -10V -30V -70A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -70 ID Continuous Drain Current3 TC = 100 C -56 IDM -150

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P3304EV, P3304QV, P3503EVG, P3710AV, P3710BD, P3710BV, PZ0703ED, PZ0703EK, 7N65, PZ1003EK, PZ1203EV, PZ2003EEA, PZ2003EV, PZ2103NV, PZ2503HV, PZ2806HV, PZ2N7002M