PZ2003EEA Todos los transistores

 

PZ2003EEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PZ2003EEA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 238 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
 

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PZ2003EEA Datasheet (PDF)

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PZ2003EEA

PZ2003EEAP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -10V-30V -28APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 25 TC = 25 C-28 TC = 100 C-17IDContinuous Drain Current TA = 25

 7.1. Size:613K  unikc
 pz2003ev.pdf pdf_icon

PZ2003EEA

PZ2003EVP-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20m @VGS = -10V -30V -8ASOP- 8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -30VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C-8IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C-6.5AIDM-50Pul

Otros transistores... P3710AV , P3710BD , P3710BV , PZ0703ED , PZ0703EK , PZ0703EV , PZ1003EK , PZ1203EV , K3569 , PZ2003EV , PZ2103NV , PZ2503HV , PZ2806HV , PZ2N7002M , PZ3304QV , PZ509BA , PZ513BA .

History: SUD50N03-09P

 

 
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