PZ2003EEA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PZ2003EEA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 238 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3P

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PZ2003EEA datasheet

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PZ2003EEA

PZ2003EEA P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = -10V -30V -28A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C -28 TC = 100 C -17 ID Continuous Drain Current TA = 25

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PZ2003EEA

PZ2003EV P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = -10V -30V -8A SOP- 8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -8 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -6.5 A IDM -50 Pul

Otros transistores... P3710AV, P3710BD, P3710BV, PZ0703ED, PZ0703EK, PZ0703EV, PZ1003EK, PZ1203EV, IRF9540, PZ2003EV, PZ2103NV, PZ2503HV, PZ2806HV, PZ2N7002M, PZ3304QV, PZ509BA, PZ513BA