PZ2003EEA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZ2003EEA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 238 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PZ2003EEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ2003EEA даташит

 ..1. Size:490K  unikc
 pz2003eea.pdf pdf_icon

PZ2003EEA

PZ2003EEA P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = -10V -30V -28A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C -28 TC = 100 C -17 ID Continuous Drain Current TA = 25

 7.1. Size:613K  unikc
 pz2003ev.pdf pdf_icon

PZ2003EEA

PZ2003EV P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = -10V -30V -8A SOP- 8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -8 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -6.5 A IDM -50 Pul

Другие IGBT... P3710AV, P3710BD, P3710BV, PZ0703ED, PZ0703EK, PZ0703EV, PZ1003EK, PZ1203EV, IRF9540, PZ2003EV, PZ2103NV, PZ2503HV, PZ2806HV, PZ2N7002M, PZ3304QV, PZ509BA, PZ513BA