PZ2003EV Todos los transistores

 

PZ2003EV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PZ2003EV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 293 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET PZ2003EV

 

PZ2003EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:613K  unikc
 pz2003ev.pdf pdf_icon

PZ2003EV

PZ2003EV P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = -10V -30V -8A SOP- 8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -8 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -6.5 A IDM -50 Pul

 7.1. Size:490K  unikc
 pz2003eea.pdf pdf_icon

PZ2003EV

PZ2003EEA P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20m @VGS = -10V -30V -28A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C -28 TC = 100 C -17 ID Continuous Drain Current TA = 25

Otros transistores... P3710BD , P3710BV , PZ0703ED , PZ0703EK , PZ0703EV , PZ1003EK , PZ1203EV , PZ2003EEA , AON7408 , PZ2103NV , PZ2503HV , PZ2806HV , PZ2N7002M , PZ3304QV , PZ509BA , PZ513BA , PZ5203EMA .

History: MP18N20

 

 
Back to Top

 


 
.