IRF1010NS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF1010NS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 120(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de IRF1010NS MOSFET
IRF1010NS Datasheet (PDF)
irf1010ns.pdf

PD - 94171IRF1010NSIRF1010NL Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 11m Fully Avalanche RatedGDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs fromID = 85A International Rectifier utilize advanced processingStechniques to achieve extremely low
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PD - 95103IRF1010NSPbFIRF1010NLPbFl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceHEXFET Power MOSFETl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 11ml Lead-FreeGDescriptionID = 85AAdvanced HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques t
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PD - 95103IRF1010NSPbFIRF1010NLPbFl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceHEXFET Power MOSFETl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 11ml Lead-FreeGDescriptionID = 85AAdvanced HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques t
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010NSFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMU
Otros transistores... IRCZ445 , IRF044 , IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL , TK10A60D , IRF1104 , IRF130 , IRF1310N , IRF1310NL , IRF1310NS , IRF140 , IRF1404 , IRF141 .



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