PZ2103NV Todos los transistores

 

PZ2103NV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PZ2103NV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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PZ2103NV Datasheet (PDF)

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PZ2103NV

PZ2103NVN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel21m @VGS = 10V30V 8A N34m @VGS = -10V-30V -6A PSOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 8TA = 25 CP -6IDCont

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History: QH8KA1 | AP08N60I-HF | OSG55R190AF | CHM4311JGP | MDP7N60BTH | SSD70N04-06D | SIA416DJ

 

 
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