PZ2103NV Todos los transistores

 

PZ2103NV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PZ2103NV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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PZ2103NV datasheet

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PZ2103NV

PZ2103NV N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 21m @VGS = 10V 30V 8A N 34m @VGS = -10V -30V -6A P SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 8 TA = 25 C P -6 ID Cont

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History: 2SK2610

 

 
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