PZ2103NV - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PZ2103NV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для PZ2103NV
PZ2103NV технические параметры
pz2103nv.pdf
PZ2103NV N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Channel 21m @VGS = 10V 30V 8A N 34m @VGS = -10V -30V -6A P SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITS N 30 VDS Drain-Source Voltage P -30 V N 20 VGS Gate-Source Voltage P 20 N 8 TA = 25 C P -6 ID Cont
Другие MOSFET... P3710BV , PZ0703ED , PZ0703EK , PZ0703EV , PZ1003EK , PZ1203EV , PZ2003EEA , PZ2003EV , 2SK3878 , PZ2503HV , PZ2806HV , PZ2N7002M , PZ3304QV , PZ509BA , PZ513BA , PZ5203EMA , PZ5203QV .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N03GD | AP85P04G | AP85N04Q | AP85N04K | AP85N04G | AP80P04K | AP80N06T | AP80N06H | AP80N06DH | AP7N10K | AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800
Popular searches
irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet


