PZ2103NV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PZ2103NV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для PZ2103NV
PZ2103NV Datasheet (PDF)
pz2103nv.pdf

PZ2103NVN&P-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID Channel21m @VGS = 10V30V 8A N34m @VGS = -10V-30V -6A PSOP- 08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL CH. LIMITS UNITSN 30VDSDrain-Source VoltageP -30VN 20VGSGate-Source VoltageP 20N 8TA = 25 CP -6IDCont
Другие MOSFET... P3710BV , PZ0703ED , PZ0703EK , PZ0703EV , PZ1003EK , PZ1203EV , PZ2003EEA , PZ2003EV , 8205A , PZ2503HV , PZ2806HV , PZ2N7002M , PZ3304QV , PZ509BA , PZ513BA , PZ5203EMA , PZ5203QV .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet