PZ2N7002M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PZ2N7002M  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: SOT23

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PZ2N7002M datasheet

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PZ2N7002M

PZ2N7002M N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2 @VGS = 10V 60V 300mA SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C 300 ID Continuous Drain Current mA TC = 100 C 190 IDM 1 A Pulsed Drain C

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PZ2N7002M

PZ2N7002M N-Channel Logic Level Enhancement NIKO-SEM SOT-23(S) Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free Drain PRODUCT SUMMARY Gate V(BR)DSS RDS(ON) ID G. GATE D. DRAIN 60V 2 300mA S. SOURCE ESD PROTECTION DIODE Source ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS

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