Справочник MOSFET. PZ2N7002M

 

PZ2N7002M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PZ2N7002M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PZ2N7002M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ2N7002M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:487K  unikc
 pz2n7002m.pdf pdf_icon

PZ2N7002M

PZ2N7002MN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2 @VGS = 10V60V 300mASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 60VVGSGate-Source Voltage 25TC = 25 C300IDContinuous Drain Current mATC = 100 C190IDM1 APulsed Drain C

 ..2. Size:171K  niko-sem
 pz2n7002m.pdf pdf_icon

PZ2N7002M

PZ2N7002MN-Channel Logic Level Enhancement NIKO-SEM SOT-23(S) Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDrainPRODUCT SUMMARY GateV(BR)DSS RDS(ON) ID G. GATE D. DRAIN 60V 2 300mA S. SOURCE ESD PROTECTION DIODE SourceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS

Другие MOSFET... PZ0703EV , PZ1003EK , PZ1203EV , PZ2003EEA , PZ2003EV , PZ2103NV , PZ2503HV , PZ2806HV , IRF1010E , PZ3304QV , PZ509BA , PZ513BA , PZ5203EMA , PZ5203QV , PZ558EZ , PE6B0SA , PF610BC .

History: 2SK3575-ZK | TPCA8A09-H | 2N65G-TF3-T | IPB083N10N3G | STL9N60M2 | DMG3413L | TF68N80

 

 
Back to Top

 


 
.