PZ2N7002M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZ2N7002M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PZ2N7002M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ2N7002M даташит

 ..1. Size:487K  unikc
 pz2n7002m.pdf pdf_icon

PZ2N7002M

PZ2N7002M N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2 @VGS = 10V 60V 300mA SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 60 V VGS Gate-Source Voltage 25 TC = 25 C 300 ID Continuous Drain Current mA TC = 100 C 190 IDM 1 A Pulsed Drain C

 ..2. Size:171K  niko-sem
 pz2n7002m.pdf pdf_icon

PZ2N7002M

PZ2N7002M N-Channel Logic Level Enhancement NIKO-SEM SOT-23(S) Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free Drain PRODUCT SUMMARY Gate V(BR)DSS RDS(ON) ID G. GATE D. DRAIN 60V 2 300mA S. SOURCE ESD PROTECTION DIODE Source ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS

Другие IGBT... PZ0703EV, PZ1003EK, PZ1203EV, PZ2003EEA, PZ2003EV, PZ2103NV, PZ2503HV, PZ2806HV, IRF9540N, PZ3304QV, PZ509BA, PZ513BA, PZ5203EMA, PZ5203QV, PZ558EZ, PE6B0SA, PF610BC