PZ509BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PZ509BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PZ509BA

PZ509BA Datasheet (PDF)

..1. Size:533K unikc
pz509ba.pdf

PZ509BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID135m @VGS = -10V -30V -1.2ASOT-323ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C-1.2IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-0.9IDM-5.2Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.3

..2. Size:328K niko-sem
pz509ba.pdf

P-Channel Enhancement Mode PZ509BA NIKO-SEM SOT-323 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 135m -1.2A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GATE

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: