Справочник MOSFET. PZ509BA

 

PZ509BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PZ509BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для PZ509BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ509BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:533K  unikc
 pz509ba.pdf pdf_icon

PZ509BA

PZ509BAP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID135m @VGS = -10V -30V -1.2ASOT-323ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C-1.2IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-0.9IDM-5.2Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.3

 ..2. Size:328K  niko-sem
 pz509ba.pdf pdf_icon

PZ509BA

P-Channel Enhancement Mode PZ509BA NIKO-SEM SOT-323 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 135m -1.2A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GATE

Другие MOSFET... PZ1203EV , PZ2003EEA , PZ2003EV , PZ2103NV , PZ2503HV , PZ2806HV , PZ2N7002M , PZ3304QV , 5N60 , PZ513BA , PZ5203EMA , PZ5203QV , PZ558EZ , PE6B0SA , PF610BC , PF610BL , PF610HV .

History: 2N5198 | MCU40N10 | DMN67D8LW | WML4N90D1 | BRCS120N06SYM | AP78T10GP-HF | P1850EF

 

 
Back to Top

 


 
.