PZ509BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZ509BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm

Тип корпуса: SOT323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PZ509BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ509BA даташит

 ..1. Size:533K  unikc
 pz509ba.pdf pdf_icon

PZ509BA

PZ509BA P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 135m @VGS = -10V -30V -1.2A SOT-323 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C -1.2 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C -0.9 IDM -5.2 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.3

 ..2. Size:328K  niko-sem
 pz509ba.pdf pdf_icon

PZ509BA

P-Channel Enhancement Mode PZ509BA NIKO-SEM SOT-323 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 135m -1.2A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GATE

Другие IGBT... PZ1203EV, PZ2003EEA, PZ2003EV, PZ2103NV, PZ2503HV, PZ2806HV, PZ2N7002M, PZ3304QV, IRLB4132, PZ513BA, PZ5203EMA, PZ5203QV, PZ558EZ, PE6B0SA, PF610BC, PF610BL, PF610HV