PF610BC Todos los transistores

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PF610BC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PF610BC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.9 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 33 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 63 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT89

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PF610BC Datasheet (PDF)

1.1. pf610bc.pdf Size:433K _unikc

PF610BC
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PF610BC N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.7Ω @VGS = 10V 100V 1.1A SOT-89 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V TA = 25 ° C 1.1 ID Continuous Drain Current TA = 70 ° C 0.9 A IDM 5 Pulsed Drain Curre

4.1. pf610bl.pdf Size:452K _unikc

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PF610BL N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.7Ω @VGS = 10V 100V 0.9A SOT- 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage ±20 V TA = 25 ° C 0.9 ID Continuous Drain Current TA = 70 ° C 0.5 A IDM 5.4 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current

5.1. pf610hv.pdf Size:482K _unikc

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PF610HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.7Ω @VGS = 10V 100V 1A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage ±20 TA = 25 ° C 1 ID Continuous Drain Current TA= 70 ° C 0.8 A IDM 4 Pulsed Drain Current

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