PF610BL Todos los transistores

 

PF610BL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PF610BL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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PF610BL Datasheet (PDF)

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PF610BL

PF610BLN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.7 @VGS = 10V100V 0.9A SOT- 223ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C0.9IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C0.5AIDM5.4Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current

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PF610BL

PF610BCN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.7 @VGS = 10V100V 1.1ASOT-89ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100 VVGSGate-Source Voltage 20 VTA = 25 C1.1IDContinuous Drain CurrentTA = 70 C0.9AIDM5Pulsed Drain Curre

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PF610BL

PF610HVDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.7 @VGS = 10V100V 1ASOP-8ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 100VVGSGate-Source Voltage 20TA = 25 C1IDContinuous Drain CurrentTA= 70 C0.8AIDM4Pulsed Drain Current

Otros transistores... PZ3304QV , PZ509BA , PZ513BA , PZ5203EMA , PZ5203QV , PZ558EZ , PE6B0SA , PF610BC , IRFB3607 , PF610HV , PI506BZ , PI632BZ , PJ614DA , PC015BD , PC015HV , P2B60AMA , P2E03BK .

History: HCU7NE70S | STF10NM60N

 

 
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