PF610BL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PF610BL 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: SOT223
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PF610BL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PF610BL даташит
pf610bl.pdf
PF610BL N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.7 @VGS = 10V 100V 0.9A SOT- 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 0.9 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 0.5 A IDM 5.4 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current
pf610bc.pdf
PF610BC N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.7 @VGS = 10V 100V 1.1A SOT-89 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 1.1 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 0.9 A IDM 5 Pulsed Drain Curre
pf610hv.pdf
PF610HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.7 @VGS = 10V 100V 1A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 1 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 0.8 A IDM 4 Pulsed Drain Current
Другие IGBT... PZ3304QV, PZ509BA, PZ513BA, PZ5203EMA, PZ5203QV, PZ558EZ, PE6B0SA, PF610BC, K4145, PF610HV, PI506BZ, PI632BZ, PJ614DA, PC015BD, PC015HV, P2B60AMA, P2E03BK
History: IXTR200N10P | IRF8910G | MSU11N50Q
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50



