PF610HV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PF610HV  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: SOP8

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PF610HV datasheet

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PF610HV

PF610HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.7 @VGS = 10V 100V 1A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 1 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 0.8 A IDM 4 Pulsed Drain Current

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PF610HV

PF610BL N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.7 @VGS = 10V 100V 0.9A SOT- 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 0.9 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 0.5 A IDM 5.4 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current

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PF610HV

PF610BC N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.7 @VGS = 10V 100V 1.1A SOT-89 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 1.1 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 0.9 A IDM 5 Pulsed Drain Curre

Otros transistores... PZ509BA, PZ513BA, PZ5203EMA, PZ5203QV, PZ558EZ, PE6B0SA, PF610BC, PF610BL, 13N50, PI506BZ, PI632BZ, PJ614DA, PC015BD, PC015HV, P2B60AMA, P2E03BK, P4004ED