IRF130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF130
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 35(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 80(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
IRF130 Datasheet (PDF)
2n6756 irf130.pdf

PD - 90333FIRF130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6756HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6756THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF130 100V 0.18 14AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique process
irf1302.pdf

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irf1302s.pdf

PD - 94520AUTOMOTIVE MOSFETIRF1302SIRF1302LBenefits Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 20V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 4.0mGID = 174ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this St
irf130smd05.pdf

IRF130SMD05NIRFN130SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS !VDSS 100VID(cont) 11ARDS(on) 0.19 FEATURES HERMETICALLY SEALED
Otros transistores... IRF054 , IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL , IRF1010NS , IRF1104 , 18N50 , IRF1310N , IRF1310NL , IRF1310NS , IRF140 , IRF1404 , IRF141 , IRF142 , IRF143 .



Liste
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