PD1203BEA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PD1203BEA 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Encapsulados: PDFN3X3P
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de PD1203BEA MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PD1203BEA datasheet
pd1203bea.pdf
PD1203BEA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12m @VGS = 10V 30V 11A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 11 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 9 A IDM 44 Pulsed Drain Curr
Otros transistores... P2B60AMA, P2E03BK, P4004ED, P4006DV, P4402FAG, PD0903BEA, PD0903BV, PD0903BVA, AO4407, PD1303YVS, PD1503BV, PD1503YVS, PD1503YVS-A, P2703BAG, P2710AD, PM505BA, PM506BA
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor