PD1203BEA Todos los transistores

 

PD1203BEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PD1203BEA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P
 

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PD1203BEA Datasheet (PDF)

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PD1203BEA

PD1203BEAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12m @VGS = 10V30V 11APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20 TA = 25 C11IDContinuous Drain Current TA = 70 C9AIDM44Pulsed Drain Curr

Otros transistores... P2B60AMA , P2E03BK , P4004ED , P4006DV , P4402FAG , PD0903BEA , PD0903BV , PD0903BVA , P60NF06 , PD1303YVS , PD1503BV , PD1503YVS , PD1503YVS-A , P2703BAG , P2710AD , PM505BA , PM506BA .

History: BUK9506-55A | 2SK1982 | TMU830Z | CS6768 | HMS11N60I | AP4426GM-HF

 

 
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