PD1203BEA - аналоги и даташиты транзистора

 

PD1203BEA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PD1203BEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PD1203BEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD1203BEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:490K  unikc
 pd1203bea.pdf pdf_icon

PD1203BEA

PD1203BEAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12m @VGS = 10V30V 11APDFN 3x3PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30VVGSGate-Source Voltage 20 TA = 25 C11IDContinuous Drain Current TA = 70 C9AIDM44Pulsed Drain Curr

Другие MOSFET... P2B60AMA , P2E03BK , P4004ED , P4006DV , P4402FAG , PD0903BEA , PD0903BV , PD0903BVA , IRFP450 , PD1303YVS , PD1503BV , PD1503YVS , PD1503YVS-A , P2703BAG , P2710AD , PM505BA , PM506BA .

History: AFN3484S

 

 
Back to Top

 


 
.