PD1203BEA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PD1203BEA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PD1203BEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD1203BEA даташит

 ..1. Size:490K  unikc
 pd1203bea.pdf pdf_icon

PD1203BEA

PD1203BEA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12m @VGS = 10V 30V 11A PDFN 3x3P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 11 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 9 A IDM 44 Pulsed Drain Curr

Другие IGBT... P2B60AMA, P2E03BK, P4004ED, P4006DV, P4402FAG, PD0903BEA, PD0903BV, PD0903BVA, AO4407, PD1303YVS, PD1503BV, PD1503YVS, PD1503YVS-A, P2703BAG, P2710AD, PM505BA, PM506BA