IRF1310N Todos los transistores

 

IRF1310N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF1310N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF1310N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:594K  international rectifier
irf1310npbf.pdf pdf_icon

IRF1310N

PD - 95690IRF1310NPbF Lead-Freewww.irf.com8/19/04IRF1310NPbF2 www.irf.comIRF1310NPbFwww.irf.com 3IRF1310NPbF4 www.irf.comIRF1310NPbFwww.irf.com 5IRF1310NPbF6 www.irf.comIRF1310NPbFwww.irf.com 7IRF1310NPbFTO-220AB Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)10.54 (.415) - B -3.78 (.149)10.29 (.405)2.87 (.113) 4.69 (.185)3.5

 ..2. Size:96K  international rectifier
irf1310n.pdf pdf_icon

IRF1310N

PD - 91504AIRF1310NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 100V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.036 Fully Avalanche RatedGDescription ID = 42ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thisbene

 ..3. Size:245K  inchange semiconductor
irf1310n.pdf pdf_icon

IRF1310N

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1310NIIRF1310NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.036Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 0.1. Size:721K  international rectifier
irf1310nspbf.pdf pdf_icon

IRF1310N

PD- 95322IRF1310NS/LPbF Lead-Freewww.irf.com 105/27/04IRF1310NS/LPbF2 www.irf.comIRF1310NS/LPbFwww.irf.com 3IRF1310NS/LPbF4 www.irf.comIRF1310NS/LPbFwww.irf.com 5IRF1310NS/LPbF6 www.irf.comIRF1310NS/LPbFwww.irf.com 7IRF1310NS/LPbFD2Pak Package OutlineD2Pak Part Marking InformationTHIS IS AN IRF530S WITHPART NUMBERLOT CODE 8024INTERNATIONAL

Otros transistores... IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL , IRF1010NS , IRF1104 , IRF130 , 4N60 , IRF1310NL , IRF1310NS , IRF140 , IRF1404 , IRF141 , IRF142 , IRF143 , IRF150 .

History: IRLB8721

 

 
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