Справочник MOSFET. IRF1310N

 

IRF1310N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF1310N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для IRF1310N

 

 

IRF1310N Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL , IRF1010NS , IRF1104 , IRF130 , 18N50 , IRF1310NL , IRF1310NS , IRF140 , IRF1404 , IRF141 , IRF142 , IRF143 , IRF150 .