IRF1310N - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRF1310N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRF1310N
IRF1310N технические параметры
irf1310npbf.pdf
PD - 95690 IRF1310NPbF Lead-Free www.irf.com 8/19/04 IRF1310NPbF 2 www.irf.com IRF1310NPbF www.irf.com 3 IRF1310NPbF 4 www.irf.com IRF1310NPbF www.irf.com 5 IRF1310NPbF 6 www.irf.com IRF1310NPbF www.irf.com 7 IRF1310NPbF TO-220AB Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) 10.54 (.415) - B - 3.78 (.149) 10.29 (.405) 2.87 (.113) 4.69 (.185) 3.5
irf1310n.pdf
PD - 91504A IRF1310N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 100V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.036 Fully Avalanche Rated G Description ID = 42A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This bene
irf1310n.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1310N IIRF1310N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.036 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a
irf1310nspbf.pdf
PD- 95322 IRF1310NS/LPbF Lead-Free www.irf.com 1 05/27/04 IRF1310NS/LPbF 2 www.irf.com IRF1310NS/LPbF www.irf.com 3 IRF1310NS/LPbF 4 www.irf.com IRF1310NS/LPbF www.irf.com 5 IRF1310NS/LPbF 6 www.irf.com IRF1310NS/LPbF www.irf.com 7 IRF1310NS/LPbF D2Pak Package Outline D2Pak Part Marking Information THIS IS AN IRF530S WITH PART NUMBER LOT CODE 8024 INTERNATIONAL
Другие MOSFET... IRF1010E , IRF1010EL , IRF1010ES , IRF1010N , IRF1010NL , IRF1010NS , IRF1104 , IRF130 , 5N65 , IRF1310NL , IRF1310NS , IRF140 , IRF1404 , IRF141 , IRF142 , IRF143 , IRF150 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3N50K | AP3N50F | AP3912GD | AP3415E | AP3404S | AP3404 | AP3205 | AP3139 | AP3134N5 | AP3101A | AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K
Popular searches
2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent






