PD1503YVS-A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PD1503YVS-A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOP8

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PD1503YVS-A datasheet

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PD1503YVS-A

PD1503YVS-A Dual N- Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15.5m @VGS = 10V Q2 30V 9A 18m @VGS = 10V Q1 30V 8A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 20 V TA = 25 C 9 8 ID Continuous Drain Current TA

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PD1503YVS-A

PD1503YVS Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 15.8m @VGS = 10V Q2 30V 9A 21.0m @VGS = 10V Q1 30V 8A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL Q2 Q1 UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 20 TA = 25 C 9 8 ID Continuous Drain Current2 TA =

 8.1. Size:369K  unikc
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PD1503YVS-A

PD1503BV N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 15m @VGS = 10V 12A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C 12 ID Continuous Drain Current TA = 70 C 9 A IDM 50 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 28 EAS

Otros transistores... P4402FAG, PD0903BEA, PD0903BV, PD0903BVA, PD1203BEA, PD1303YVS, PD1503BV, PD1503YVS, IRF1407, P2703BAG, P2710AD, PM505BA, PM506BA, PM509BA, PM513BA, PM514BA, PM516BA