PM514BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PM514BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PM514BA

PM514BA Datasheet (PDF)

..1. Size:469K unikc
pm514ba.pdf

PM514BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID62m @VGS = 4.5V20V 3ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC2.1IDM12Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.7PDPower

..2. Size:200K niko-sem
pm514ba.pdf

N-Channel Enhancement Mode PM514BA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID GG. GATE 20V 40m 3.3A D. DRAIN S. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 8 V TA = 25 C 3.3 Continuous Drain C

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Liste

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