Справочник MOSFET. PM514BA

 

PM514BA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PM514BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для PM514BA

 

 

PM514BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:469K  unikc
 pm514ba.pdf

PM514BA PM514BA

PM514BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID62m @VGS = 4.5V20V 3ASOT-23(S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 8 VTA = 25 C3IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC2.1IDM12Pulsed Drain Current1TA = 25 C0.7PDPower

 ..2. Size:200K  niko-sem
 pm514ba.pdf

PM514BA PM514BA

N-Channel Enhancement Mode PM514BA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID GG. GATE 20V 40m 3.3A D. DRAIN S. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 8 V TA = 25 C 3.3 Continuous Drain C

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top