PM514BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PM514BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PM514BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM514BA даташит

 ..1. Size:469K  unikc
 pm514ba.pdf pdf_icon

PM514BA

PM514BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 62m @VGS = 4.5V 20V 3A SOT-23(S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 8 V TA = 25 C 3 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 2.1 IDM 12 Pulsed Drain Current1 TA = 25 C 0.7 PD Power

 ..2. Size:200K  niko-sem
 pm514ba.pdf pdf_icon

PM514BA

N-Channel Enhancement Mode PM514BA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G G. GATE 20V 40m 3.3A D. DRAIN S. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 8 V TA = 25 C 3.3 Continuous Drain C

Другие IGBT... PD1503YVS, PD1503YVS-A, P2703BAG, P2710AD, PM505BA, PM506BA, PM509BA, PM513BA, 18N50, PM516BA, PM516BZ, PM523BA, PM550BA, PM557BA, PM560BZ, PM561BA, PM597BA